









考夫曼离子源是应用较早的离子源。属于栅格式离子源。首先由阴极在离子源内腔产生等离子体,让后由两层或三层阳极栅格将离子从等离子腔体中抽取出来。这种离子源产生的离子方向性强,离子能量带宽集中,可广泛应用于真空镀膜中。缺点是阴极(往往是钨丝)在反应气体中很快就烧掉了,另外就是离子流量有---,对需要大离子流量的用户可能不适和。
霍尔离子源是阳极在一个强轴向磁场的协作下将工艺气体等离子化。这个轴向磁场的强不平衡性将气体离子分离并形成离子束。由于轴向磁场的作用太强,真空镀膜材料派瑞林,霍尔离子源离子束需要补充电子以中和离子流。常见的中和源就是钨丝(阴极)。
pecvd(pulse enhanced chemical vaporized deition,电浆辅助化学气相沉积)工法并配合密闭抽真空设备,所以纳米等级的涂层颗粒可以顺着整机产品的微小缝隙飘进并附着于整机产品内部的大多数角落位置,也因为涂层的缝隙比水分子还小,所以可以起到隔绝湿气对电子产品的影响。另外,由于涂层的厚度大概有5-50nm,弹簧类零件(如连接器)只要经过摩擦就可以轻易的刮除这些涂层,达到电气接触的目的。

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